স্তর: 4
সারফেস ফিনিস: ENIG
বেস উপাদান: FR4
বাইরের স্তর W/S: 9/4mil
ভিতরের স্তর W/S: 7/4mil
বেধ: 0.8 মিমি
মিন.গর্ত ব্যাস: 0.2 মিমি
বিশেষ প্রক্রিয়া: প্রতিবন্ধকতা, অর্ধেক গর্ত
স্তর: 6 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 4/4mil ভিতরের স্তর W/S: 4/4mil বেধ: 1.2 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.2 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: প্রতিবন্ধকতা, অর্ধেক গর্ত
স্তর: 4 সারফেস ফিনিস: LF-HASL বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 9/6mil ভিতরের স্তর W/S: 9/5mil বেধ: 0.8 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.3 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: অর্ধেক গর্ত
স্তর: 4 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 4/3mil ভিতরের স্তর W/S: 6/4mil বেধ: 0.8 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.2 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: অর্ধেক গর্ত
স্তর: 4 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 8/4mil ভিতরের স্তর W/S: 8/4mil বেধ: 0.6 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.2 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: অর্ধেক গর্ত
স্তর: 4 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 6/4mil ভিতরের স্তর W/S: 6/4mil বেধ: 0.4 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.6 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: প্রতিবন্ধকতা, অর্ধেক গর্ত
স্তর: 2 সারফেস ফিনিস: LF-HASL বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 9/5mil বেধ: 1.6 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.4 মিমি বিশেষ প্রক্রিয়া: অর্ধেক গর্ত
স্তর: 8 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 4/3mil ভিতরের স্তর W/S: 5/4mil বেধ: 1.6 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.2 মিমি
স্তর: 4 সারফেস ফিনিস: ENIG বেস উপাদান: FR4 বাইরের স্তর W/S: 4/4mil ভিতরের স্তর W/S: 4/4mil বেধ: 0.8 মিমি মিন.গর্ত ব্যাস: 0.15 মিমি
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644